2020年COVID-19蔓延全球，世界各國無論是人員面・經濟面都遭受到莫大打擊，迄今仍無消停之跡象。然而，在這種狀況下，為因應地球暖化與空氣汙染，汽車電動化對人類來說依舊是「刻不容緩」課題。甚至最近在加州發表2035年為止州內將全面禁售燃油車，可見EV轉換需求極大。決定EV性能優劣的主要部品為功率元件，其新材料SiC/GaN元件之普及備受期待。然而，分析現況可知:其性能、信頼性、甚或價格面皆尚未充分滿足市場需求。
本課程將同時觀察SiC/GaN功率元件的強勁對手矽基元件的最新動向，並針對SiC/GaN功率元件普及關鍵進行深入淺出之解說。
6月8、9日(二)(三)09:30~16:30 授課講師：日本業界專家(語言：日文演說．逐步口譯)
1. 功率電子與次世代功率元件
1.1. 功率電子與功率元件
1.2. 功率元件之種類、構造
1.3. 功率元件之適用領域
1.4. 高頻動作之優點
1.5. 矽基MOSFET・IGBT碩果僅存之原因探討
1.6. 次世代功率元件開發之定位
2. 最新矽基IGBT之進展
2.1. 功率半導體10年後市場預測
2.2. 矽基IGBT現況
2.3. 最新的IGBT技術:仍須持續改善特性之IGBT
2.4. 新構造IGBT:逆導通IGBT (RC-IGBT) 開發
2.5. 支撐IGBT進程之實裝技術的發展
3. SiC功率元件的現況及課題
3.1. 半導體元件材料之變化
3.2. 寬能帶隙(Wide-Bandgap Power)半導體
3.3. 相較矽基之 SiC優點
3.4. 各社開發SiC-MOSFET。為何不是開發SiC-IGBT?
3.5. SiC晶圓之開發完成
3.6. SiC-SBD邁向SiC-MOSFET開發之路
3.7. SiC-MOSFET擴大販售之四大課題
3.8. SiC-MOSFET適合EV的原因?
3.9. SiC-MOSFET製作流程
3.10. SiC元件信頼性之重點
3.11. 最新SiC-MOSFET開發動向
4. GaN功率元件之現況與課題
4.1. GaN功率元件現況
4.2. GaN元件構造以”橫向式GaN on Si”為主流。為何不是垂直式GaN on GaN?
4.3. GaN-HEMT元件之特色與課題
4.4. GaN-HEMT邁向常關型(Normally-off)
4.5. Current Collapse現象之結構
4.6. 最新GaN-HEMT開發動向
4.7. 垂直式GaN元件最新動向
5. 因應高溫之實裝技術
5.1. 可高溫動作之優點為何?
5.2. SiC-MOSFET模組用封裝。重點為何?
5.3. 重要性日益升高之SiC-MOSFET模組開發
6. 結語
