伴隨著行動裝置、資訊機器之高性能化，對記憶體、微處理器等設備的高度集成化要求也越來越大。目前的微影技術，除了在先進量產中使用的ArF浸潤、雙重/多重圖案化之外，已經開始使用期待已久的EUV。而光阻劑、微細加工用材料為了因應這種微影技術的革新，也不斷地持續開發與進展當中。
本課題從微影技術解說開始，然後說明光阻劑如何支持微細化元件。接著針對現今5nm邏輯節點中使用的光阻劑、微細加工用材料之最新技術，講解其要求特性、面對的課題和解決對策。最後，總結預定進入3nm邏輯節點之後的技術展望和市場動向。
2022年6月7、8日(二)(三)09:30~16:30 授課講師：日本學研專家(語言：日文演說．逐步口譯)
一、微影技術
1.曝光
1-1.接觸式曝光
1-2.步進重覆曝光(step and repeat)
1-3.掃描式曝光
2.照明方法：斜入射(環形帶)照明
3.光罩(Mask)
3-1.相偏移光罩(PSM, phase-shifting mask)
3-2.光學鄰近校正(OPC, optical proximity correction)
3-3.光罩誤差因子(MEF, mask error factor)
4.光阻製程(Resist process)
4-1.防反射製程
4-2.硬罩製程(Hard mask process)
4-3.化學機械研磨技術(CMP, chemical-mechanical polishing)
5.發展藍圖
5-1.IRDS路線圖(International Roadmap for Devices and Systems)
・對微影的要求特性
・對光阻的要求特性
5-2.對應微細化的微影技術選項
5-3.最先進行動裝置上的微影技術應用
二、光阻劑
1.溶解抑制型光阻(Dissolution inhibitor)
1-1.g線光阻
1-2.i線光阻
2.化學增幅型光阻(Chemically amplified)
2-1.KrF光阻
2-2.ArF光阻
2-3.化學增幅型光阻劑之穩定化技術
三、光阻劑・微細加工用材料之最新技術
1.浸潤式微影技術 (Immersion lithography)
1-1.浸潤微影課題
・以往使用NA透鏡的浸潤微影術
・利用高NA透鏡的浸潤微影術
1-2.浸潤微影用表面塗層(top coat)
1-3.浸潤微影用光阻
・浸潤微影用光阻的要求特性
・浸潤微影用光阻的設計指南
2.雙重/多重圖案化製程(Double/Multi patterning)
2-1.兩次/多次圖案化課題
2-2.微影-蝕刻(LE)製程用材料
2-3.自對準(SA, self-aligned)製程用材料
3.EUV微影技術 (Extreme Ultra Violet Lithograph,極紫外光微影)
3-1.EUV微影課題
3-2.EUV光阻的要求特性;
3-3.EUV光阻劑的設計指南
・EUV光阻用聚合物
・EUV光阻用產酸劑
3-4.EUV光阻劑的課題和對策
・高感度/解析度/粗糙度的權衡(trade-off)
・隨機缺陷(Stochastic Effects)
3-5.最新的EUV光阻・分子光阻
・負型光阻
・使用聚合物結合酸產生劑(polymer-bound acid generator)的化學增幅型光阻
・含氟聚合物光阻劑
・無機/金屬光阻劑
4.定向自組裝化(DSA, directed self-assembly)
4-1.自組裝化微影的基礎與課題
4-2.圖型外延(grapho-epitaxy)用材料
4-3.化學外延(chemical-epitaxy)用材料
4-4.最新的高χ (Kai) 嵌段共聚物(Block copolymers)
・含Si型嵌段共聚物
・有機型嵌段共聚物
5.奈米壓印微影術 (NIL, nano imprint lithography)
5-1.奈米壓印微影課題
5-2.加壓式奈米壓印微影用材料
5-3.光硬化式奈米壓印微影用材料
・光硬化材料
・離型劑(脫模劑)
四、微影、光阻、微細加工用材料的未來技術展望
五、光阻劑市場動向
