從「成本角度」支援矽半導體設備的進一步微型化，高產出量的曝光設備是不可或缺的，因此強烈需求高輸出化的極紫外光(EUV :extreme ultraviolet)曝光光源(波長 13.5nm)。光源，來自於用雷射電離成多價的"電漿(plasma)"。而一旦電漿狀態介入，就變得很難控制。本課程將說明透過可視化電漿"發光的原因"，達到電漿的控制方法。
本課程首先概述電漿產生EUV光的原理，然後說明改善光源性能的關鍵點，在於測量及控制電漿的(電子)密度和(電子)溫度。接著介紹這些測量方法 (雷射散射法)，並出示測量結果。最後，回答"為什麼EUV發光效率會改變?"的提問，是在於電漿的製作方式，可以用密度和溫度來解釋。
2022年7月14、15日(四)(五)09:30~16:30 授課講師：日本學研專家(語言：日文演說．逐步口譯)
一、背景
1.半導體電子元件(Semiconductor electronics)・光電元件(Optoelectronics)
2.半導體的微型化與曝光技術
3.曝光光源的微小化與雷射的應用
二、EUV曝光技術
1. EUV曝光光源所需的特性
2. EUV光源
電漿方式（雷射生成方式）
電漿方式（放電生成方式）
加速器方式
三、電漿
1.電漿在產業上的應用
2.從電漿產生光的原理
普朗克的輻射定律
電子溫度和電子密度
EUV輻射最佳的電子溫度和電子密度
3.與EUV光量有關的物理參數
電子溫度
電子密度
離子價數
四、EUV光源用電漿的診斷方法
1.電漿測量的原理
電氣式方法
粒子式方法
光學式方法
光源應用中重要的電漿參數
2.成像
陰影圖測量
發光觀測
3.光譜測量
4.電子狀態測量
雷射干涉法
湯姆森散射電子項測量
湯姆森散射離子項測量
五、EUV光源用電漿的電子狀態診斷
1.利用電漿測量開發EUV光源（開發概念）
2.EUV電漿測量方法的必備條件
時間解析度 (Temporal resolution)
空間解析度 (Spatial resolution)
干擾
3.利用雷射散射法（湯姆森散射法）的測量系統之開發
雷射散射法
湯姆森散射法的原理
4.從EUV光源預測湯姆森散射光譜
5.測量所須之硬體
分光計
測量用雷射
檢測器
6.開發新測量系統的必要性
7. EUV電漿診斷用之湯姆森散射系統的最佳化
六、EUV光源用之電漿診斷試驗實務
1.電漿生成裝置的概要
2.作為測量對象的電漿之概要
3.湯姆森散射測量裝置
4.湯姆森散射光譜示例
5.不同電漿生成條件下獲得的電子密度・電子溫度分佈 (1維空間 )
6.擴展到2維空間測量
7.不同電漿生成條件下獲得的電子密度・電子溫度分佈 (2維空間)
8.藉由測量揭示EUV光源電漿的結構
9.發光效率與電漿結構的關係 (爲什麼效率會改變? )
10.透過測量實現高效率化的新方針介紹
七、總結
1.EUV電漿診斷的重要關鍵 (EUV光量由電子狀態決定)
2.電子狀態的測量方法 (雷射散射測量)
3.EUV電漿的電子狀態結構
4.是否可能操縱電子狀態？
