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(已結案)
【日本專家】高散熱部件的接觸熱阻、有效的熱傳導率測量法
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日期：2023/7/4+5+11+12(二)(三),13:00-16:00
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介紹厚度/平面方向兩者的導熱率測量方法（有時量測得到數值不相同），同時為了測量導電性接著劑的熱傳導率，改良美國標準的單向熱流穩態比較法，並縮短量測時間。
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(已結案)
【日本專家】大口徑3C-SiC半導體材料的高導熱率
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日期：2023/6/2(五),13:00-16:00
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實證半導體材料3C-SiC具有與理論值相當的高熱傳導率，由於3C-SiC成本相對較低，可製成大直徑晶圓，將有利於實現高散熱元件的開發。
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(已結案)
【日本專家】半導體封裝材料的設計技術與評價方式
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日期：2023/5/23+24(二)(三),09:30-16:30
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介紹半導體封裝材料二大用途「減碳省電」及「高頻高速通訊」。WBG能達成高耐熱與高散熱，並滿足低溫硬化。高頻用途則是低介損正切與FOWLPPLP封裝材開發。
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(已結案)
【台日專家】第四代半導體氧化鎵技術開發動向
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日期：2023/3/24+04/13(五)(四),09:00-16:00
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邀請2位日本+1位台灣專家，從「學研」及「業界」多角度闡述Ga2O3氧化鎵的技術開發動向，包括電晶體、磊晶成長、元件、SBD、材料特徵...等。(一)氧化鎵Ga203最新動向(二)第四代半導體Ga203技術原理,優勢與產業前景相關議題(三)氧化鎵材料與功率元件的技術開發動向。
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(已結案)
【日本專家】平滑界面上的銅配線形成，對應高頻用途的新型Seed薄膜技術
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日期：2023/3/24(五),13:00-15:00
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傳統銅箔表面粗糙，容易黏著樹脂層。未來高頻世代的高頻信號傳輸影響，致使銅箔的粗糙度需要相較以往更「光滑」的趨勢發展，導致「銅箔-樹脂」黏著力下降。本課題導入奈米金屬新種子至薄膜基材&硬質基材中(介紹其製作方法、使用製程)，可得到低介電、低傳輸損失的材質。同時在基材上形成一高分子密著層，可以跟電鍍銅層平滑地密合，在平滑面(非粗化表面) 保持充分的密合強度。（介紹其密合原理機制）。
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(已結案)
【日本專家】氟素樹脂被覆技術
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氟素樹脂具備的優異特性，使其廣泛應用在家電、半導體、化學製造、輸送機台等領域。本課題介紹氟素樹脂必備知識，再進階解說氟素樹脂的被覆技術、接著技術、評估方式等。
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